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先進封裝散熱設計中導熱介面材料(TIM)的關鍵作用:以Ultra3065間隙填充材料為例

封裝翹曲與元件高度差可能導致HBM接面溫度過高、觸發頻寬節流。本文說明間隙填充材料如何回應此挑戰,並解析Ultra3065的規格與可靠度數據。
Ultra3065間隙填充材料應用於先進封裝GPU與HBM高度差補償示意圖

高度差與大間隙,先進封裝散熱設計中常被低估的變數

在AI GPU模組的先進封裝(如2.5D/3D異質整合封裝)中,GPU邏輯晶粒與周邊HBM堆疊記憶體、以及封裝蓋板(lid)之間,經常存在因製程與組裝公差所造成的高度差。學術文獻指出,封裝蓋板平整度、封裝翹曲(warpage)與表面形貌上的差異,會造成TIM接合線厚度與接觸壓力分佈不均,進一步增加介面熱阻與模組內部的溫度梯度;另有研究進一步說明,大型2.5D組裝除了晶粒間熱膨脹係數不匹配所產生的應力外,堆疊晶粒、散熱蓋板與銅導電層等元件的自身重量,也會造成中介層(interposer)產生不均勻的彎曲與翹曲,而HBM模組正是造成此類負載的元件之一。實務工程經驗也指出,PCB翹曲、蓋板共平面度與元件高度差三者疊加後,在密集電路板上可能累積達0.3公釐以上的落差,對單一板卡上數十個導熱接觸點而言,這樣的公差並不算小。

在此背景下,先進封裝的warpage控制與散熱設計,已被IEEE相關研究列為影響製造良率與長期可靠度的關鍵課題之一,也是選擇TIM材料時必須優先辨識的介面情境。

高度差與間隙問題若未妥善處理,可能造成哪些影響?

高度差與間隙填充不足,最直接的後果是介面熱阻升高,導致晶片接面溫度隨之上升。以HBM為例,工程指南指出,HBM3E等級的堆疊記憶體單顆即可產生超過20瓦的熱負載,通常需要導熱係數大於5 W/m·K的TIM材料,才能將接面溫度控制在85°C以下的安全範圍;一旦超過此門檻,即可能觸發頻寬節流(thermal throttling)、訊號劣化與長期可靠度風險。學術回顧研究也提供了具體數據:導入熱傳導模組(TMP)改善GPU與HBM之間的熱耦合後,HBM接面溫度可降低約攝氏10.3度,訊號抖動(jitter)幅度也隨之下降約4.54%,顯示散熱設計與訊號完整性之間存在直接關聯,而不只是溫度數字本身的問題。在系統層級,產業觀察也指出,資料中心散熱不均勻可能造成局部熱點與氣流回流,進而引發降頻,甚至導致運算任務中斷等實際營運成本。

間隙填充材料如何回應這項挑戰

間隙填充材料(Gap Filler)是專門針對大間隙與高度差情境設計的TIM類別。與硬度較高的導熱墊片不同,間隙填充材料通常具備較高的可壓縮性,能在組裝壓力下變形貼合不同高度的元件表面,避免因材料過硬而在部分區域留下未填滿的空隙。產業資料顯示,相較於單純的空氣間隙,導入間隙填充材料可將介面熱阻降低約80%至95%;而材料的導熱係數則因基材與填料設計不同而有明顯差異,一般矽基間隙填充材料多落在1至8 W/m·K區間,採用陶瓷填料強化的高階配方則可達20 W/m·K以上。同時,學術研究也指出,應用於高功率元件與散熱片之間的間隙填充材料,除了導熱係數外,仍需兼顧電氣絕緣性能,這也是此類材料的填料設計需要在導熱與絕緣之間取得平衡的原因。

就材料設計原理而言,TIM介面的熱阻可用簡化公式概略表示:R ≈ BLT ÷ k(R為單位面積熱阻,BLT為接合線厚度,k為材料導熱係數)。這個關係式說明,在相近的熱阻目標下,接合線厚度每提高若干倍,所需要的導熱係數也必須大致等比例提高,材料才能維持相近的散熱表現。以簡化示意計算為例:假設某晶片級TIM在50微米(0.05公釐)的接合線厚度下,以5 W/m·K的導熱係數可達到某一熱阻水準;當介面間隙放大五倍、來到250微米(0.25公釐),若要維持相近的熱阻表現,導熱係數同樣需要大致提高五倍,來到25 W/m·K左右的量級。這說明了為什麼間隙填充材料類別的導熱係數規格,普遍需要比晶片級TIM-1材料高出一個數量級——這是介面幾何尺寸放大後的物理結果,而不是規格數字的競賽。

(以上為簡化示意計算,僅用於說明BLT與導熱係數之間的比例關係,數值為便於理解所設之假設情境,非任何特定產品之實測BLT或熱阻數據。實際TIM總熱阻還包含材料與兩側接觸面間的接觸熱阻,並非僅由上述簡化公式決定,實際效能請以廠商公開之熱阻/熱阻抗測試數據為準。)

Ultra3065技術規格解析

LiPOLY Ultra3065為超高導熱係數導熱介面材料,屬於間隙填充材料(Gap Filler)類別,導熱係數達30.0 W/m·K——相較於前述工程指南所建議的5 W/m·K門檻與矽基材料常見的1至8 W/m·K區間,Ultra3065位於間隙填充材料導熱性能的高端。材料採Shore OOO 65硬度設計,兼顧可壓縮貼合性與組裝時所需的機械支撐力,用以補償元件間的高度差與表面不平整。電氣性能方面,Ultra3065之介電崩潰強度為9 KV/mm,提供高功率應用場景所需的絕緣安全裕度。產品可依實際間隙尺寸提供客製化厚度與尺寸規格。典型應用涵蓋AI伺服器、GPU模組、AI Accelerator、CPU、HBM封裝與電源模組等高功率場景,亦適用於資料中心伺服器、網通與電信設備。

項目 規格
產品型號 Ultra3065
導熱係數 30.0 W/m·K
硬度 Shore OOO 65
介電崩潰強度 9 KV/mm

註:以上數據為LiPOLY依內部TIM Tester方法與ASTM D5470測試方法所得之典型值,僅供設計參考,非產品規格保證值。實際效能請依應用條件進行預先測試驗證。

可靠度測試結果

Ultra3065已進行以下四項可靠度測試,測試結果均為「通過(Pass)」:

測試項目測試條件測試結果
高溫老化125°C,1,000小時Pass
高溫高濕(HAST)85°C / 85%RH,1,000小時Pass
冷熱循環-40°C↔125°C,500次循環Pass
低溫測試-60°C,1,000小時Pass

需說明的是,現有型錄僅提供上述四項測試之「通過/未通過」結果,並未如部分產品一般公開測試前後的量化熱阻變化數值;如需更完整的工程規格數據以供設計評估,建議另行向LiPOLY技術團隊索取。

結論

先進封裝中的高度差與大間隙,是封裝翹曲、蓋板共平面度與組裝公差多重因素疊加下的常見結果;若未妥善處理,輕則影響散熱效率,重則可能觸發頻寬節流、訊號劣化甚至長期可靠度風險,是選擇TIM材料時容易被單純導熱係數比較所忽略的介面情境。間隙填充材料透過較高的可壓縮性補償這類高度差,Ultra3065以30.0 W/m·K的導熱係數與Shore OOO 65的硬度設計,提供此情境下的一種選項,並已通過高溫老化、高溫高濕、冷熱循環與低溫等四項可靠度測試。如需進一步的產品規格資料或應用建議,歡迎與LiPOLY技術團隊聯繫洽詢。

常見問題

Q1:間隙填充材料(Gap Filler)與傳統導熱膏、導熱墊片有什麼不同?

間隙填充材料的可壓縮性通常高於一般導熱墊片,適合填補較大且不均勻的高度差;相較於導熱膏,其固態或半固態型態也降低了幫浦效應與材料溢出的風險。實際選型仍須依照間隙尺寸、公差與組裝壓力條件個別評估。

Q2:導熱係數愈高,是否代表散熱效果一定愈好?

不一定。實際散熱效果取決於材料的總熱阻,包含材料本身的體積熱阻與兩側接觸面的接觸熱阻。若材料無法確實貼合、留下空氣間隙,即使導熱係數再高,實際效果也會打折扣,因此壓縮性與貼合度同樣是選型時的重要考量。

參考資料

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