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AI GPU模組散熱挑戰全貌,與相變化材料解決方案

AI GPU模組的功率密度持續攀升,GPU、HBM、VRM各自逼近熱設計極限。本文聚焦GPU晶片級TIM,解析PCM900相變化材料的工作原理與可靠度測試數據。
PCM900相變化材料應用於AI伺服器GPU晶片級導熱介面示意圖

AI GPU模組功率密度躍升,每個發熱源都逼近各自的熱設計極限

一片AI伺服器用的GPU模組,實際上是由多個獨立發熱源組成的複合系統:GPU運算晶粒本身、堆疊於封裝內或旁側的HBM(高頻寬記憶體)、板級供電用的VRM(電源供應模組),以及封裝結構與GPU相近的AI Accelerator。這些元件的散熱路徑、封裝方式與熱設計限制各不相同,卻共同承受著同一個模組的功率密度成長曲線。GPU晶粒與封裝內的HBM堆疊,都需要透過晶片級導熱介面材料(TIM-1,即晶粒與均熱板/冷板之間的介面材料)將熱量導出,這層材料的可靠度,直接影響晶片能否維持在安全的接面溫度區間內運作。

本文將先概覽AI GPU模組內幾個主要發熱源各自面臨的散熱課題,作為理解系統性挑戰的背景;接著聚焦於GPU本身的晶片級TIM這項具體議題,說明傳統導熱膏的已知限制,以及LiPOLY PCM900相變化材料的技術規格與可靠度數據。

AI GPU模組內的主要發熱源與各自的散熱課題

在深入TIM材料之前,先釐清模組內部幾個主要發熱源各自面臨的情況,有助於理解為何散熱設計已成為AI伺服器整體架構中的核心變數。

  • GPU運算晶粒:AI伺服器GPU的運作型態與傳統資料中心工作負載不同,模型訓練期間經常連續多日維持接近滿載運作,晶片接面溫度長時間處於偏高區間。
  • HBM(高頻寬記憶體):隨著GPU與HBM朝3D堆疊整合發展,垂直方向的熱阻成為新的挑戰。比利時微電子研究中心imec於2025年IEEE IEDM(國際電子元件會議)發表的研究指出,3D HBM-on-GPU架構在未採取任何散熱優化措施時,AI訓練負載下的GPU峰值溫度可達141.7°C,遠超過可運作範圍;透過技術與系統層級的協同優化,峰值溫度才能降至70.8°C,與現行2.5D整合方案相當。這說明HBM的散熱瓶頸主要來自封裝架構本身的垂直熱阻,屬於封裝與系統層級的課題。
  • VRM(電源供應模組):AI GPU模組的板級供電設計,同樣需要處理大電流下的散熱問題。業界技術分析指出,VRM電路的PCB設計(厚銅電源層、低電感佈線、高密度去耦電容陣列)是GPU基板設計中最嚴苛的環節之一,散熱能力與載流能力必須同步考量。
  • AI Accelerator:無論是GPU或其他架構的AI Accelerator,其晶片封裝結構與GPU類似,同樣包含運算晶粒、記憶體堆疊、電源管理IC與晶片級導熱介面材料,所面臨的散熱課題與GPU具高度共通性。

以上四類元件雖然共同構成AI GPU模組的散熱挑戰全貌,但個別的介面材料選型考量並不相同(例如HBM的封裝結構、VRM的板級散熱路徑,皆與GPU晶片級TIM的應用情境不同)。本文以下聚焦於GPU本身的晶片級TIM(TIM-1)這項具體議題。

GPU晶片級TIM劣化的實際後果:頻寬節流與效能損失

晶片級TIM的熱阻若隨使用時間逐漸劣化,其後果並非僅止於溫度數字上升,而是會直接反映在GPU的運算效能上。產業分析指出,當高階GPU的接面溫度達到85至90°C的臨界門檻時,硬體會啟動頻寬節流(thermal throttling)機制,自動降低時脈頻率以避免晶片受損;叢集在節流狀態下運作,最多可能損失理論最大效能的25%,對長達數週的大型語言模型訓練任務而言,意味著實質增加的運算時間與成本。學術研究亦提供了具體的量化案例:一篇探討大規模訓練叢集健康管理的論文指出,GPU溫度從50°C上升至77°C時,核心時脈可能從1.93 GHz降至1.38 GHz,對同步敏感的訓練步驟造成明顯延遲。這些數據反映的是GPU接面溫度與效能之間的產業普遍現象,並非針對特定TIM材料的實測結果,但足以說明晶片級TIM可靠度為何是設計必須正視的變數,而非單純的規格數字比較。

傳統導熱膏在晶片級TIM應用上的已知限制

傳統導熱膏(thermal grease)長期是晶片級TIM的主流選擇,具備低初始熱阻、易於施作等優點,但學術文獻的比較研究指出,導熱膏在長期熱循環與功率循環下,存在乾裂(dry-out)、材料被擠出介面(pump-out)、孔隙增加等劣化現象,這些現象會使介面熱阻隨時間上升;相變化材料(PCM)由於免除了塗佈與乾燥製程,較不易出現孔隙、擠出或介面剝離等問題。

相變化材料如何回應這項挑戰:工作原理與物理基礎

相變化材料在常溫下呈固態,便於自動化組裝與運輸儲存;當溫度上升至其相變溫度以上時軟化為半固態,可流動貼合發熱源與散熱器之間的微觀表面凹凸,藉此降低介面熱阻。介面熱阻大致可以R≈BLT÷k的關係式理解:其中BLT(Bond Line Thickness,接合線厚度)為材料實際貼合後的厚度,k為材料的導熱係數;在k值固定的前提下,BLT愈薄,介面熱阻愈低。這也是為何晶片級TIM材料的規格會特別強調「最小BLT可達多少微米」,而非僅比較導熱係數數字本身——對於晶片與均熱板之間僅有數十微米間隙的晶片級應用而言,材料能否貼合出足夠薄的BLT,往往比單純的高導熱係數更直接影響最終熱阻表現。

值得留意的是,學術文獻也指出,為追求更高導熱係數而大幅提高填料含量的相變化材料,可能因此增加洩漏與機械失效的風險;這是相變化材料這一材料類別的一般性技術課題,而非特定產品的實測結果,本文於此僅作為背景說明,選型時仍應以個別產品的可靠度測試數據為準。

PCM900技術規格解析

LiPOLY PCM900為晶片級應用設計的相變化材料,於常溫下維持固態、便於自動化組裝,加熱至約45°C相變溫度後軟化貼合。以下為型錄公開之技術規格:

項目數值測試方法
導熱係數9.0 W/m·KASTM D5470
相變溫度45°C
最小接合線厚度(BLT)24 µm
使用溫度範圍-60~150°C
密度2.70 g/cm³ASTM D792
表面/體積電阻率>10¹² Ohm/Ohm·mASTM D257

常見問題

Q1:PCM900相較於傳統導熱膏,優勢是什麼?

PCM900於常溫下維持固態,可直接進行自動化貼片組裝,免除傳統導熱膏塗佈、脫泡與乾燥等製程;學術比較研究指出,相變化材料因不需經歷塗佈與乾燥流程,較不易出現傳統導熱膏常見的乾裂(dry-out)、材料被擠出介面(pump-out)等長期劣化現象。

Q2:45°C相變溫度在實務應用上代表什麼意義?

PCM900於低於45°C時維持固態,便於裁切、運輸與自動化組裝;當晶片開始運作、介面溫度上升超過45°C後,材料軟化並流動貼合發熱源與均熱板之間的微觀表面凹凸,達到型錄所載最小24µm的接合線厚度(BLT),兼顧組裝便利性與低接觸熱阻。

Q3:PCM900的可靠度是否經過長期測試驗證?

是。型錄提供熱老化(125°C)、高溫高濕(85°C/85%RH HAST)、熱循環(-40~125°C)及低溫(-60°C)共四項可靠度測試,測試時間最長達1,000小時或500次循環,熱阻變化幅度均控制在原始數值一成左右,顯示PCM900在長時間熱應力條件下具備穩定的介面表現。

Q4:PCM900適合哪些應用場景?

依型錄「Typical Application」分類,PCM900適用於AI/HPC(AI伺服器、GPU)、資料中心(伺服器、網路設備)、消費性電子(PC、SSD、遊戲主機)、電源(電源模組、電源供應器)及車用電子(ECU、BMS、OBC)等多元場景,並提供0.15mm、0.20mm、0.25mm三種厚度規格因應不同應用需求。

LiPOLY PCM900產品資訊

高效能相變化熱介面材料,專為晶片級應用設計,導熱係數9.0 W/m·K、相變溫度45°C,適用於AI伺服器、GPU等AI/HPC應用場景。提供0.15mm、0.20mm、0.25mm三種厚度規格,並可依需求提供捲料(Roll)、片材(Sheet)或裁切件(Die-cut)等型態。

參考資料

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